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　　纳微GeneSiC碳化硅产品基于专有的“沟槽辅助平面栅”技术打造，可在运行温度范围内能提供了全球的效率性能，G3F MOSFETs具备高速、运行温升低的性能，相比市场上其他厂商的碳化硅产品，可使器件的外壳温度降低高达25°C并且寿命长3倍。
weidmuller　　Bourns GDT/SPD 产品线经理 David Chavarría 表示：「我们特别为应对苛刻环境而设计了全新的 AEC-Q200 兼容 GDT 系列，这一系列不仅满足了 AEC-Q200 标准的严格要求，同时也为我们在高要求市场中的进一步拓展提供了机会，说明化系统的可靠性和耐久性。作为先进保护解决方案的引领者，Bourns 始终致力于不断创新，为全球客户提供卓越质量的产品。
即日起开售Microchip Technology的PolarFire SoC Discovery套件。PolarFire SoC Discovery套件经过优化，非常适合用于快速开发工业自动化、边缘通信、物联网 (IoT)、汽车、智能视觉以及许多其他计算密集型应用的嵌入式系统。

FCS945R则是移远通信推出的另一款高性能双频Wi-Fi 4和蓝牙5.2模组，其在IEEE 802.11n模式下工作，数据速率可达150 Mbps。FCS945R还采用经典LCC封装和12.0 mm × 12.0 mm × 2.15 mm的超紧凑封装设计，在尺寸和成本方面进行了双重优化，完美满足尺寸敏感型应用的要求，并支持-20°C ~+70°C消费级工作温度。
搭载QiLai系统芯片的Voyager开发板是我们对该需求的响应，亦是实现快速开发和评估多种RISC-V软件的重要一步，并同时有助于扩展RISC-V生态系统。
作为一款多网络制式的智能模组，SC200P系列支持 LTE Cat 4，下行速率可达150 Mbps，另还可实现2.4 & 5 GHz双频Wi-Fi及蓝牙短距离无线通信的全面覆盖，增强终端连接性能和灵活度，满足不同行业终端应用对高性能网络的需求。此外，其还支持 MIMO（多输入多输出技术），在接收端可以使用多个接收天线，使信号通过接收端的多个天线进行接收，从而增加速度、降低误码率、改善通信质量。
与现有的650 V SiC和Si MOSFET相比，新系列具有超低的传导和开关损耗。这款AI服务器电源装置的AC/DC级采用多级PFC，功率密度达到100 W/in以上，并且效率达到99.5%，较使用650 V SiC MOSFET的解决方案提高了0.3个百分点。此外，由于在DC/DC级采用了CoolGaN?晶体管，其系统解决方案得以完善。通过这一高性能MOSFET与晶体管组合，该电源可提供8千瓦以上的功率，功率密度较现有解决方案提高了3倍以上。
还可以根据特殊订单安装 Atom x7000E 或 Core i3 N 系列，并且该主板将从 2025 年第一季度开始与 Atom x7000RE（Amston Lake）CPU 兼容。

　　利用LTSSM视图进行PCIe Gen5协议分析
　　“PGY-PCIeGen5-PA代表了PCIe协议分析的进步，”Prodigy Technovations执行官Godfree Coelho表示。 “PCIe Gen5流量具有无与伦比的可视性，易于设置，能够捕获高达32Gbps的PCIe流量，结构紧凑，可快速监控低功耗状态的进出。 我们使工程师能够快速识别和解决设计问题，终缩短产品上市时间。”
weidmuller此外，器件25 °C下典型反向漏电流仅为2.5 ?A，因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。
小尺寸FPGA产品中再添一款逻辑优化的全新莱迪思Certus-NX FPGA器件。新产品包括两款新器件，即Certus-NX-28和Certus-NX-09，拥有多种封装选项，可提供行业领先的低功耗、小尺寸和可靠性以及灵活的迁移选项。这些器件旨在加速广泛的通信、计算、工业和汽车应用。
该产品适用于250W电机驱动应用，可减少噪音和系统震动。IPM多用于实现系统电机控制、逆变和保护，用在电机驱动、家电和工业化等需要智能控制的应用中。当前IPM多采用硅基IGBT或MOSFET。